Fosfură de indiu | ||
__ În __ P | ||
Identificare | ||
---|---|---|
Numele IUPAC | Fosfură de indiu (III) | |
N o CAS | ||
N o ECHA | 100.040.856 | |
N o EC | 244-959-5 | |
Aspect | cristale negre cubice | |
Proprietăți chimice | ||
Formula brută |
În P [izomeri] |
|
Masă molară | 145,792 ± 0,003 g / mol În 78,75%, P 21,25%, |
|
Proprietăți fizice | ||
T ° fuziune | 1062 ° C (1335,15 K) | |
Masa volumică | 4,81 solid | |
Proprietăți electronice | ||
Trupa interzisă |
1.344 eV la 300 K (decalaj direct) |
|
Mobilitate electronică | 0,46 m 2 / ( V · s ) | |
Mobilitatea găurilor | 0,015 m 2 / ( V · s ) | |
Cristalografie | ||
Sistem de cristal | Blende | |
Precauții | ||
Directiva 67/548 / CEE | ||
Xn Simboluri : Xn : Nociv Fraze R : R40 : Efect cancerigen suspectat. Posibil risc de efecte ireversibile. Fraze S : S36 / 37 : Purtați îmbrăcăminte și mănuși de protecție adecvate. Expresii R : 40, Fraze S : 36/37, |
||
Clasificarea IARC | ||
Grupa 2A: Probabil cancerigen pentru oameni | ||
Unități de SI și STP, cu excepția cazului în care se prevede altfel. | ||
Fosfura indiu este un compus anorganic cu formula InP . Este un semiconductor binar de tip III-V , format din indiu și fosfor utilizat în microelectronică .
La fel ca majoritatea semiconductoarelor III-V ( GaAs , InAs etc.), fosfura de indiu are o structură de tip „ blende ”, adică două ochiuri cubice centrate pe față (cfc) din fiecare dintre celule. Două componente imbricate și deplasate ale un vector (1/4; 1/4; 1/4), sau dintr-un alt punct de vedere, o plasă fcc a unuia dintre constituenții din care patru dintre cele opt situri tetraedrice sunt ocupate de celălalt constituent. Prin urmare, are o geometrie tetragonală în care fiecare ion indiu este legat de patru ioni de fosfor și invers.
Fosfura de indiu poate fi preparată direct prin reacție directă între elementele fosfor și indiu, un principiu utilizat în multe procese industriale:
Printre celelalte metode de formare a straturilor subțiri de InP, există diferite tehnici de epitaxie, cum ar fi epitaxiul cu fascicul molecular (MBE pentru Molitular Beam Epitaxy) din surse de fosfor și indiu.
Fosfura de indiu este utilizată în aplicații electronice de înaltă frecvență și putere mare, datorită mobilității sale mai mari a electronilor în comparație cu cele ale semiconductoarelor mai frecvente, cum ar fi arsenura de siliciu și galiu . Are un decalaj direct, ceea ce îl face adecvat pentru utilizare în opto-electronică , cum ar fi la fabricarea diodelor laser . InP este, de asemenea, utilizat ca substrat pentru creșterea epitaxială a compușilor optoelectronici pe bază de arsenid de indiu-galiu (InGaAs).
Parametrul său de rețea este suficient de diferit de cel al arsenidului de indiu , formând astfel structuri cuantice de confinare, în special puncte cuantice ( puncte cuantice ) InAs / InP, utilizate la fabricarea laserelor pentru telecomunicații prin fibră optică.